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电子元器件详细资料 » IC[27166] » SI7962DP-T1-E3
型号:SI7962DP-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8描述:MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C7.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C17 毫欧 @ 11.1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs70nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.4W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商设备封装PowerPAK? SO-8
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市维基鸿电子有限公司米小姐,黄小姐19520735817/13148740183
深圳德田科技有限公司李小姐86-0755-83254070/18680328178
深圳市易信优科技有限公司陈佳隆0755-23914006/18318877587
深圳市励芯恒智能科技有限公司雷先生0755-23487994
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深圳市芯满林科技有限公司夏小姐18926544209/18025435189
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SI7962DP-T1-E3相关型号

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